華北區(qū)域:
李經(jīng)理 15343445592
華南區(qū)域:
馮經(jīng)理 18026777082
華東區(qū)域:
文經(jīng)理 13544971592
華中區(qū)域:
葉經(jīng)理 18127585813
技術(shù)支持:
葉工 13501587940
磁致伸縮位移傳感器利用材料的磁致伸縮效應(yīng)對(duì)位移進(jìn)行非接觸式絕對(duì)測(cè)量,它具有測(cè)量精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。而且永遠(yuǎn)不需要定期重標(biāo)或擔(dān)心斷電后歸零的問題。近年來,國(guó)外磁致伸縮位移傳感器性能有很大的提高,德國(guó)Balluff的SSI微脈沖傳感器最大非線性為±30μm、美國(guó)MTS的R系列位移傳感器的非線性度小于滿量程的±0.01%。國(guó)內(nèi)某些科研單位和企業(yè)對(duì)該類傳感器的研制也正在進(jìn)行積極的探索,并取得了一定的進(jìn)展。但目前國(guó)內(nèi)外磁致伸縮位移傳感器的電路系統(tǒng)比較復(fù)雜,工藝要求高,實(shí)現(xiàn)難度較大。為了在保證傳感器性能的前提下顯著降低電路成本,本文提出以TI的超低功耗微處理器MSP430為核心的磁致伸縮位移傳感器電路方案,簡(jiǎn)潔高效,而且傳感器的信號(hào)更易控制和處理。
首先傳感器電路對(duì)磁致伸縮波導(dǎo)絲施加一瞬時(shí)電流激勵(lì)脈沖,當(dāng)電流沿波導(dǎo)絲傳播時(shí),伴隨產(chǎn)生一個(gè)圍繞波導(dǎo)絲的環(huán)形磁場(chǎng),同時(shí)傳感器的永久磁鐵組件會(huì)產(chǎn)生一個(gè)平行于波導(dǎo)絲的磁場(chǎng),根據(jù)磁致伸縮效應(yīng),在兩磁場(chǎng)相遇處會(huì)產(chǎn)生機(jī)械扭轉(zhuǎn)波,并以固定速度分別向波導(dǎo)絲兩端傳播。在波導(dǎo)絲的遠(yuǎn)端通過阻尼器衰減扭轉(zhuǎn)波,以保證其不會(huì)在波導(dǎo)絲上反射;近端利用感應(yīng)線圈拾取扭轉(zhuǎn)波信號(hào),傳感器電路對(duì)其進(jìn)行處理產(chǎn)生感應(yīng)脈沖。由于電流在波導(dǎo)絲上近似光速傳播,而扭轉(zhuǎn)波傳播速度一定,所以通過測(cè)量施加瞬時(shí)電流激勵(lì)脈沖和接收到感應(yīng)脈沖之間的時(shí)間間隔,便可精確地計(jì)算出永久磁鐵的位置,實(shí)現(xiàn)絕對(duì)位移的測(cè)量。
1、傳感器電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)
磁致伸縮位移傳感器的電路結(jié)構(gòu),MSP430的定時(shí)器模塊產(chǎn)生占空比和周期可調(diào)的控制脈沖S1,經(jīng)過功率放大后驅(qū)動(dòng)波導(dǎo)絲;感應(yīng)線圈接收到磁致伸縮效應(yīng)產(chǎn)生的微弱回波信號(hào)S2 ,經(jīng)過處理后得到感應(yīng)脈沖S3;時(shí)間測(cè)量電路中先將控制脈沖S1和感應(yīng)脈沖S3整合成與扭轉(zhuǎn)波在波導(dǎo)絲中傳播時(shí)間成正比的PWM信號(hào),再通過計(jì)數(shù)法測(cè)量出PWM信號(hào)的寬度,即可得到相應(yīng)位移值。所設(shè)計(jì)的傳感器輸出信號(hào)為0~10V模擬電壓。
1.1 脈沖功率放大電路
根據(jù)磁致伸縮效應(yīng),對(duì)施加于波導(dǎo)絲的瞬時(shí)電流激勵(lì)勵(lì)脈沖的幅值要求。本文選用增強(qiáng)型2MOS管脈沖有嚴(yán)格要求。首先,為了形成較強(qiáng)的環(huán)形磁場(chǎng),電流脈沖應(yīng)具有足夠的強(qiáng)度,考慮到波導(dǎo)絲的低阻值負(fù)載特性,應(yīng)對(duì)控制脈沖進(jìn)行功率放大,提高其驅(qū)動(dòng)能力;其次,為了獲得質(zhì)量較好的感應(yīng)信號(hào),電流脈沖的寬度應(yīng)維持在微米級(jí);另外,電流脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間應(yīng)盡可能短;還應(yīng)結(jié)合傳感器的量程和扭轉(zhuǎn)機(jī)械波的傳播速度,選擇合適的電流脈沖周期,使其大于扭轉(zhuǎn)機(jī)械波在波導(dǎo)絲中的最長(zhǎng)傳播時(shí)間,考慮到傳感器的刷新率,電流脈沖的周期也不宜太長(zhǎng)。
本文利用MSP430定時(shí)器的捕獲比較模塊產(chǎn)生一周期為1ms、脈沖寬度為5μs的控制脈沖 ,其上升時(shí)間和下降時(shí)間均為200ns左右,滿足基本要求。由于微控制器輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力較弱 ,必須對(duì)其進(jìn)行功率放大。考慮到激FQPF4N20和推挽式驅(qū)動(dòng)芯片L293進(jìn)行試驗(yàn),對(duì)控制脈沖進(jìn)行功率放大,均取得了理想效果:得到一幅值為12V的脈沖電壓信號(hào),將其加載到500mm長(zhǎng)的波導(dǎo)絲(阻值為5Ω左右)兩端,波導(dǎo)絲中傳播的瞬時(shí)脈沖電流強(qiáng)度超過2A,滿足了上述激勵(lì)脈沖的要求。
1.2 信號(hào)放大與整形電路
感應(yīng)線圈檢測(cè)到的扭轉(zhuǎn)波信號(hào)是 mV級(jí)的微弱信號(hào) , 而且還有雜波干擾 ,必須進(jìn)行濾波、放大等處理。為了后續(xù)電路能夠進(jìn)一步對(duì)其處理 ,還應(yīng)將放大后的信號(hào)通過電平比較后得到感應(yīng)脈沖。圖傳感器感應(yīng)信號(hào)S 每周期有兩個(gè)信號(hào)波形,前一個(gè)信號(hào)是感應(yīng)到的激勵(lì)脈沖,另一個(gè)信號(hào)是感應(yīng)到的磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波信號(hào)。
考慮到需要對(duì)微弱信號(hào)進(jìn)行高倍的放大且噪聲為共模信號(hào),本文選用低噪聲的差動(dòng)放大器對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理,它不僅能提供足夠的放大倍數(shù)、高共模抑制比,而且可以有效抑制零點(diǎn)漂移。再通過二階帶阻有源濾波器對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波,得到S2所示幅值較大的感應(yīng)信號(hào)。將該信號(hào)通過電平比較器得到S3所示的感應(yīng)脈沖信號(hào),這樣不僅消除了模擬信號(hào)上小幅值雜波的影響,而且方便后續(xù)數(shù)字電路對(duì)信號(hào)進(jìn)一步處理。
1.3 高精度時(shí)間測(cè)量電路
由于傳感器通過檢測(cè)控制脈沖的產(chǎn)生和接收到感應(yīng)脈沖的時(shí)間間隔來確定位移,所以高精度的時(shí)間測(cè)量是傳感器高準(zhǔn)確度的重要保證。可以發(fā)現(xiàn) ,線圈感應(yīng)到的控制脈沖S3相對(duì)于控制脈沖S1已經(jīng)有了一定延時(shí)。為了消除其對(duì)時(shí)間測(cè)量的影響 ,將S1先通過單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 ,使邏輯低電平適當(dāng)?shù)难訒r(shí) ,S4所示延時(shí)脈沖,再S4和感應(yīng)脈沖S3通過RS觸發(fā)器 ,得到PWM信號(hào)S5 ,其寬度即為控制脈沖S1和感應(yīng)脈沖S3的時(shí)間間隔 ,且隨傳感器磁鐵組件位置變化而變化。將PWM信號(hào)S5作為閘門信號(hào)控制對(duì)高頻脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù) ,即可精確測(cè)量出時(shí)間間隔。由于MSP430工作頻率僅有12MHz ,無法滿足高精度時(shí)間測(cè)量的需要,兩級(jí)計(jì)數(shù)器時(shí)間測(cè)量電路。先用十六進(jìn)制高速計(jì)數(shù)器74F161(低位計(jì)數(shù)器) 對(duì)高頻脈沖計(jì)數(shù) ,再利用單片機(jī)內(nèi)部計(jì)數(shù)器TB1(高位計(jì)數(shù)器)對(duì)低位計(jì)數(shù)器的進(jìn)位信號(hào)計(jì)數(shù) ,即可實(shí)現(xiàn)對(duì)最高達(dá)130MHz(受74F161最高計(jì)數(shù)頻率限制) 的基準(zhǔn)脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)。
1.4 模擬信號(hào)輸出電路
為方便地用于工業(yè)場(chǎng)合,傳感器應(yīng)具有標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)接口。本文選擇 0~10V模擬電壓作為輸出信號(hào)??蓪SP430中表示時(shí)間間隔的計(jì)數(shù)值轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)??紤]到傳感器的分辨率,選用16位DAC配合精密放大器,將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成0~10V的模擬電壓信號(hào)。
2、電路測(cè)試與分析
為驗(yàn)證傳感器的性能,對(duì)所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行測(cè)試。傳感器使用的波導(dǎo)絲長(zhǎng)度500mm(由于實(shí)驗(yàn)裝置限制及傳感器固有死區(qū),傳感器的量程標(biāo)定為330mm)。
2.1 電路信號(hào)測(cè)試
MSP430微處理器產(chǎn)生的控制脈沖,脈寬5μs,周期為1ms,經(jīng)過功率放大后可以滿足激勵(lì)脈沖的要求,使磁致伸縮效應(yīng)得以產(chǎn)生。傳感器感應(yīng)信號(hào)波形,它是對(duì)感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行放大和濾波所得,前兩個(gè)信號(hào)分別為感應(yīng)到的激勵(lì)信號(hào)和扭轉(zhuǎn)波信號(hào),具有較大幅值和質(zhì)量較好的波形。第三個(gè)信號(hào)是扭轉(zhuǎn)波信號(hào)經(jīng)過傳感器末端反射而形成的,說明傳感器組件的阻尼器效果不理想,沒有將扭轉(zhuǎn)波信號(hào)完全吸收,但由于其幅值較小,不影響信號(hào)的后續(xù)處理。高精度時(shí)間測(cè)量的PWM信號(hào),該脈沖的寬度隨傳感器永久磁鐵組件位置的變化而改變。
2.2 傳感器精度測(cè)試
采用球柵尺對(duì)傳感器進(jìn)行標(biāo)定,球柵分辨率為0.005mm。在傳感器量程范圍內(nèi),移動(dòng)磁鐵組件,每隔5cm記錄一組數(shù)據(jù)。在量程范圍內(nèi)傳感器的輸出模擬電壓信號(hào)的誤差曲線??梢姡敵鲎畲蠓蔷€性誤差約為0.0045V,相對(duì)誤差為±0.045%。在同一工作條件下 ,將傳感器磁鐵組件按同一方向在全量程范圍內(nèi)連續(xù)移動(dòng)多次,記錄磁鐵位置及相應(yīng)輸出電壓值。重復(fù)性誤差公式為aσmax eR= ±3×100 %;yFS式中:a為置信系數(shù) ,a=2時(shí),置信概率為95.4%,a=3時(shí),置信概率為99.73 %;σ max 為各校準(zhǔn)點(diǎn)正行程與反行程輸出值的標(biāo)準(zhǔn)偏差中的最大值;yFS為滿量程值。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算得σ max = 0.00399 ,置信系數(shù)a取3,則eR= ±3 ×0. 0039×100 % = ±0. 12%,傳感器的重復(fù)性良好。此外,還對(duì)傳感器的非線性、遲滯、電磁干擾等進(jìn)行了測(cè)試,基本滿足設(shè)計(jì)要求。
3、結(jié) 論
在電磁波大角度入射的條件下,柵瓣現(xiàn)象對(duì)FSS性能的影響更加明顯 ,此時(shí)可根據(jù)Floquet定理與CST仿真軟件評(píng)估柵瓣現(xiàn)象的影響。在CST的仿真中,需要選擇足夠的Floquet模式才能正確評(píng)估柵瓣效應(yīng),并且可通過增加端口與FSS結(jié)構(gòu)之間的距離來消除高階Floquet衰減模的影響。對(duì)于60°TE入射條件下的圓波導(dǎo)型FSS,三角排布與正排布時(shí)相比,柵瓣的出現(xiàn)與破壞效果出現(xiàn)在更高頻,影響更小,并且在通孔內(nèi)填充電介質(zhì)可以使工作頻段向低頻移動(dòng),以避開柵瓣的影響。
聯(lián)系方式:
華北區(qū)域:李經(jīng)理 15343445592
華南區(qū)域:馮經(jīng)理 18026777082
華東區(qū)域:文經(jīng)理 13544971592
華中區(qū)域:葉經(jīng)理 18127585813
技術(shù)支持:葉工 13501587940?
郵箱:wenlan@szbadens.com
地址:廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道灣區(qū)人工智能產(chǎn)業(yè)園B棟410